CMP（Chemical Mechanical Polishing，化學機械研磨）不僅是半導體製程中的一個步驟，更是決定先進技術可行性、晶片效能與供應鏈議價能力的關鍵節點，對企業的成長性和獲利能力有深遠影響。CMP是一項結合化學反應與物理研磨的平坦化技術，為半導體前段製程中不可或缺的關鍵製程之一。其主要目的在於去除多層結構所造成的表面不平整，使晶圓表面達到高度平坦，確保後續微影與配線製程能穩定進行。 CMP 製程主要由三個要素所構成 Chemical（化學作用）：利用酸、鹼、氧化劑等化學藥液，促使材料表面發生化學反應 Mechanical（物理作用）：透過研磨材，如 SiO₂、Al₂O₃...