韓國三星（Samsung Electronics）今（29）日宣布，已向全球主要客戶出貨業界首款12層HBM4E樣品，進一步強化其於次世代HBM（高頻寬記憶體）市場的布局。

繼今年稍早率先實現HBM4量產與商用出貨後，三星進一步推出HBM4E樣品，擴展其HBM產品藍圖，以因應AI運算與超大規模基礎設施（Hyperscale Infrastructure）快速成長帶來的需求。

三星指出，新推出的HBM4E相較於HBM4，效能提升超過20%，單堆疊（stack）記憶體頻寬最高可達3.6TB/s，可進一步提升大型語言模型（LLM）與次世代AI系統的運算效能。

容量方面，12層HBM4E提供48GB容量，相較前一代提升超過30%；未來亦將依客戶需求，擴展至32GB（8層）與64GB（16層）產品配置。

技術架構方面，三星表示，HBM4E採用第六代10nm級（1c）DRAM製程，以及三星的4nm邏輯基底晶片（logic base die），藉此提升製程穩定性與量產能力。同時，透過低功耗設計與封裝最佳化技術，進一步改善能源效率與散熱表現，以滿足高負載AI資料中心需求。

近年AI GPU與大型AI模型快速發展，帶動HBM成為高階AI晶片的重要元件，也讓記憶體大廠間的競爭持續升溫。

目前三星在先進AI記憶體市場，仍面臨SK海力士（SK hynix）與美光（Micron）等競爭對手壓力，尤其在NVIDIA AI晶片供應鏈方面，SK海力士目前仍占據領先優勢。此次推出HBM4E，也被市場視為三星積極強化HBM競爭力、加速追趕對手的重要布局之一。

圖片來源：Samsung