提到樹脂，很多人想到的是塑膠、黏著劑等日常材料，但在半導體與電子產業中，樹脂其實是封裝基板、IC載板與銅箔基板（CCL）的重要材料。樹脂除了提供絕緣與黏著，也會影響耐熱性、訊號傳輸、尺寸穩定性與封裝可靠度。
雙馬來醯亞胺（Bismaleimide，BMI）並非因應AI才出現的新材料，而是一類發展已久的高性能熱固性樹脂。BMI具有良好的耐熱性、機械強度與尺寸穩定性，也可作為BT樹脂的重要組成材料。近年高速傳輸、AI伺服器與先進封裝對電子材料提出更高要求，BMI因此再次受到材料業界關注。
BMI 的特性：耐熱之外，還要兼顧電氣與熱機械性能
BMI以馬來醯亞胺官能基為核心，固化後形成高度交聯結構，因此具有極佳的耐熱性與尺寸穩定性。然而，高交聯密度同時也會帶來脆性較高（韌性不足）與加工困難等限制。因此實際應用時，通常會透過分子設計、共聚或與其他樹脂搭配進行改質。
目前電子材料用BMI主要關注以下幾項性能：
高Tg、耐熱性：因應高溫製程與長時間使用。
低介電常數（Low Dk）與低介電損耗（Low Df）：降低高速訊號傳輸的介電損耗。
低熱膨脹係數（Low CTE）：降低晶片與基板之間的熱膨脹差異。
低吸濕率、尺寸穩定性：減少環境與溫度變化造成的尺寸變化。
韌性與加工性：配合壓合、鑽孔及多層板製程。
這些數值可以更直觀地看出高階材料的要求。以三菱瓦斯化學（MGC）公開的BT材料為例，部分低傳輸損耗產品在10 GHz頻率下，Dk約3.4、Df約0.002～0.004；部分高Tg產品的玻璃轉化溫度（Tg）可達300°C。MGC另有高階BT材料，X-Y方向CTE可低至1 ppm/°C，Tg則高於350°C。
註：上述數據為特定商品化BT材料之性能範例，並非BMI樹脂的單一固定規格。實際數值會因分子改質、樹脂配比、無機填料（Fillers）、玻纖布等級及測試頻率而異。
BMI與BT：名稱相近，但不是同一種材料
BMI與電子材料最直接的關聯之一，就是BT樹脂。BT為Bismaleimide-Triazine 的縮寫，其中Bismaleimide就是BMI；Triazine則是三嗪結構。
簡言之，BMI是BT樹脂的重要組成之一。BT樹脂進一步製成CCL及半固化片（Prepreg）等基板材料後，廣泛應用於CSP、BGA、Flip Chip（覆晶封裝）及SiP（系統級封裝）等載板領域。
圖片來源：Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.（MGC）
先進封裝對樹脂材料提出了哪些新挑戰？
AI 伺服器所搭載的高效能運算（HPC）晶片與高頻寬記憶體（HBM），驅動封裝技術邁向更高的整合密度（如2.5D/3D 封裝與CoWoS）。當封裝尺寸擴大、傳輸速率飆升且熱負載劇增時，樹脂材料必須同時應對電氣性能與熱機械應力的雙重考量：
電氣訊號完整性：隨著運算頻率提升，低Dk/Df 成為降低介電損耗與訊號衰減的關鍵。
熱機械可靠度（Warpage控制）：當晶片（矽，CTE約2.6 ppm/°C）與有機基板的CTE存在巨大差異時，熱循環過程中產生的巨大應力極易引發基板翹曲（Warpage）或焊點開裂。
為因應這些要求，先進封裝基板材料持續朝低CTE、高Tg、低吸濕率等方向發展，反映高階封裝載板對材料熱機械性能的要求持續提高。
從近期CCL發展看BMI
近期CCL產業報導指出，隨著M7、M8、M9等高階規格發展，材料競爭焦點開始從玻纖布、銅箔延伸至樹脂配方。樹脂與填料之間的搭配會直接影響Dk、Df、CTE、耐熱性及訊號完整性，因此配方本身成為高階CCL的重要技術環節。
BMI也已出現在這波材料升級中。台灣特化業者崇舜近期表示，其特殊胺類固化劑已導入BMI樹脂體系，目前主要應用於M4～M6高頻高速CCL，並持續朝Low Dk、Low Df、High Tg及更高階板材發展。
老材料的新價值，核心在於配方設計
BMI已經發展多年，近年重新受到關注，與高速傳輸、AI伺服器及先進封裝對電子材料規格的提升有關。
從高階BT材料的公開規格來看，材料性能已需要同時兼顧低Dk、低Df、低CTE、高Tg與尺寸穩定性；BMI相關材料的發展，也逐漸延伸至分子結構、改質方式、固化反應，以及樹脂與填料的搭配。未來隨著高速傳輸與高密度封裝持續發展，BMI相關配方仍將持續朝高性能與高可靠度方向優化。