隨著矽基半導體在高功率、高頻及高溫應用上逐漸達到性能極限，且碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）雖具優異性能但成本較高，氧化鎵（Ga₂O₃）因其極寬能隙、高崩潰電場及可大尺寸熔融法單晶成長的製程優勢，成為下一世代功率半導體的重要候選材料。近期材料與製程技術持續突破，包括大尺寸單晶基板成長、元件樣品測試及P型摻雜技術進展，推動氧化鎵半導體朝商用化穩步前進。 半導體材料世代分類 第一代：元素半導體材料 代表材料：Si、Ge 主要應用：積體電路（邏輯元件、記憶體等） 第二代：化合物半導體材料 代表材料：GaAs、InP、AlGaAs、GaAsP 主要應用：微波積體電路、紅外線與可見光發光二極...