三建技術課程
2026/09/15(二),09:30-16:30
台南+線上+新竹
隨著生成式AI的進化，海量資料處理集中於資料中心與基地台，對半導體晶片提出了更高要求，必須以極高速度、低功耗及低損耗進行處理。因此，除了前段微細化（半導體前段製程），積層封裝的技術進展（先進封裝；後段製程）也受到高度關注。本講座首先介紹先進半導體封裝技術，說明核心技術——2.5D封裝技術（如CoWoS）的特性與課題。接著說明封裝技術中使用的各種光阻的特性、用途與剝離技術。最後介紹針對晶片間高密度互連所需的再布線層（RDL; Re-Distribution Layer）形成製程現狀、需求與課題，以及未來展望。
一、先進半導體封裝技術介紹、課題與未來展望
1-1 Flip-Chip BGA（FC-BGA）
1-2 Fan-Out Wafer-Level Package (FOWLP)
．Integrated Fan-Out（InFO）
1-3 2.5D 封裝技術
．矽中介層型（CoWoS-S、I-CubeS）
．有機中介層型（CoWoS-R、R-Cube）
．矽橋型（CoWoS-L、EMIB、I-CubeE）
1-4 3DIC
二、封裝技術中使用的光阻特性與用途
2-1 厚膜光阻
．厚膜光阻的用途
．厚膜光阻的性能與課題
．厚膜光阻的材料
2-2 幹膜光阻（Dry Film Resist）
2-3 錫焊阻焊層（Solder Resist）
2-4 保護膜用光阻
．鈍化膜（Passivation Layer）
．模塑封裝膜（Mold Compound Layer）
2-5 光阻剝離技術
．剝離液的種類與特性
．剝離液的用途
三、再布線層（RDL）形成製程現狀、需求、課題與未來展望
3-1 技術路線圖（Roadmap）
3-2 SAP方式
3-3 Damascene CMP方式
． Damascene CMP用圖形形成方法
．有機介電材料
■團報3位始得參加線上視訊
| 報名1位 | 報名2位 | 報名3位 | |
|---|---|---|---|
| 原價 (+) | 6,615 | 6,300 | 5,985 |
| 自費 (=) | 6,615 | 6,300 | 5,985 |