隨著摩爾定律逐漸放緩，晶體管尺寸微縮帶來的效能提升有限，半導體產業轉而依靠系統層級的封裝微縮來持續推動性能成長。封裝尺寸的縮小與鍵結技術，從早期的C4焊料發展到焊料/銅柱，再到現在的銅混合鍵合（Cu Hybrid Bonding），有效提升互連密度與電性表現。 即使2030年後背端製程（BEOL）微縮趨近極限，封裝微縮仍會持續。高密度的2.5D與3D混合鍵合技術成為彌補互連瓶頸的關鍵利器，先進封裝正加速向晶圓級與矽基製程平台發展，成為未來半導體產業重要的成長動力。 半導體設計與製造評估指標 技術類型 RDL 間距 (pitch) FC 凸點間距 封裝尺...