在半導體領域，碳化矽（Silicon Carbide, SiC）功率元件技術是一項具有變革性的先進技術，有助於推動全球暖化緩解。SiC屬於寬能隙（Wide Bandgap, WBG）半導體材料，其優異的物理特性，也成為電動車（xEV）及其他高效能功率電子應用中廣受關注的核心技術，顯著提升性能、能效與可靠性。 SiC是一種由矽和碳組成的化合物半導體，具有強原子鍵合、輕質原子質量、高介電擊穿場強度、寬頻隙（約3.26 eV）、高聲子能量、高導熱性及高電子飽和速度等優異物理特性，使其在高溫、高頻和高壓環境下的功率元件應用中展現極大優勢。 晶圓製程階段也面臨諸多挑戰，必須確保晶圓具備高平整度，包括...