【日本人講師】AIが牽引するHBM・HBF・HBSメモリと先端パッケージング技術

AIは先端ロジックデバイス（Logic Device）の微細化プロセス開発を牽引しており、その性能を有効に引き出すためには、先端パッケージング技術によるメモリとの高集積化を通じて、システムレベル（System-Level）の総合性能を高めることが不可欠です。
広帯域メモリ（HBM）は今後、積層チップ（Stacked Chips）の層数増加に加え、Base Dieの微細化によるさらなる性能向上が図られ、関連技術の開発が続くと見込まれます。
また、AI InferenceとEdge AIが各産業分野へ浸透するにつれてAI市場は一段と拡大し、NAND FlashをベースとするHBFや、大容量と低消費電力を兼ね備えたHBSストレージ技術への需要も高まり続けると予想されます。
本セミナーでは、AIメモリに必要とされるTSV、Hybrid Bonding、3D Fan-Outなどの技術を取り上げ、今後のメモリパッケージング技術の発展トレンドを概観します。

1. Introduction
2. Fundamentals of Mid-end process technologies for 3D integration
    2.1 TSV process (Via Middle, Back side via)
    2.2 Memory die stacking (NCF, MUF for HBM)
    2.3 Wafer-to-Wafer hybrid bonding for CIS, NAND
    2.4 CoW hybrid bonding for on-chip memory
3. 3D Fan-Out integration 
    3.1  Through Mold interconnect process options
    3.2  LPW with vertical wire bonding for AI mobile memory 
4. Memory packaging innovation
    4.1  Customized HBM to improve power efficiency
    4.2  HBF, HBS emerging for AI
5. Closing and Q&A