【日本人講師】800GbE／1.6TbE実現に向けた基板技術動向

AIデータセンター向け基板が急拡大する中、Backplane基板やGP-GPU Chiplet基板などの開発動向が注目されています。
特にノード間では、400GbEから800GbE（112Gbps, PAM4）への移行に向けた基板材料の開発が進行中です（M9など）。次世代の目標は、1.6TbE対応の基板材料開発です。

先端材料では、低Dk（Skew低減目的）かつ周波数変動の小さいフッ素樹脂とHC（炭化水素系材料）が重視されており、日本の材料メーカーが現在リードしていますが、世界的な材料開発競争がすでに始まっています。また、関連する高機能フィラーや高速BS材料も並行して開発が進んでいます。

ノード内（GPU間）ではns級レイテンシとTB/s級帯域が期待され、ノード間ではイーサネットやBroadcom Tomahawkシリーズスイッチチップ、InfiniBandによりμs級レイテンシが実現されます。

本講演ではこれらの新材料技術動向を詳説し、実際に採用されている基板を例に、以下の技術詳細を説明します：
（1）スイッチ基板（ASIC搭載PCB）
（2）ラインカード基板（Switch Line Card）
（3）バックプレーン／ミッドプレーン（Backplane / Midplane）

（講師が最新の業界動向とリアルタイム情報を反映するため、詳細なセミナープログラムは開催1か月前に確定・公開いたします。）