隨著生成式AI快速普及,高速資料傳輸需求大幅增加,傳統電訊號傳輸開始面臨功耗、散熱與頻寬瓶頸。因此,「光電融合(Optoelectronic Integration)」開始成為近年半導體與通訊產業最受矚目的技術方向之一。

簡單來說,光電融合的核心概念,就是讓原本以電訊號傳輸的部分,逐步改由光訊號取代,也就是「光進銅退」。由於光傳輸具有高頻寬、低損耗與低功耗等特性,也被視為解決AI資料中心能耗問題的重要方向。

光電融合的「三部曲」演進路徑

光電融合並非一次到位,而是沿著三個階段逐步演進。

第一階段:插拔式光收發模組(Pluggable Transceiver)
目前最常見的方案。光電轉換主要發生在設備邊緣,電訊號仍需在PCB板上傳輸一段距離,因此在高速運算下,功耗問題逐漸浮現。

第二階段:板載光學(On-Board Optics, OBO)
將光學元件直接搭載於PCB上,讓光模組更接近運算晶片,以縮短電傳輸距離並降低訊號損耗。

第三階段:共同封裝光學(CPO, Co-Packaged Optics)
當前半導體與AI產業最熱門的議題。利用先進封裝技術,將負責運算的晶片(ASIC/GPU)與矽光子晶片,一起擠在同一個封裝基板上,讓光學元件更靠近運算晶片。

兩大陣營的技術路線之爭:TSMC vs Intel

近年來,包括TSMC、Intel、NVIDIA等科技大廠,都積極投入CPO與矽光子技術布局

Intel主推「邊緣耦合(Edge Coupling)」。其做法為讓光線從晶片側邊進入波導。這種方式具有低損耗、高頻寬等優勢,但缺點是製程與封裝難度較高,需要高精度切割與拋光,因此量產成本相對較高。

TSMC則主推「光柵耦合(Grating Coupling)」。其原理是在晶片表面製作微細光柵結構,利用衍射原理將光導入晶片內部。雖然光損耗相對較高,但因為不需要切割與拋光晶片邊緣,因此更適合晶圓級測試與大規模量產。

整體來看,邊緣耦合在光學性能上具備優勢,而光柵耦合則在量產與封裝整合上更具商業化彈性。以目前產業發展趨勢而言,光柵耦合因更貼近晶圓代工與先進封裝生態系,市場關注度相對較高。